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::: 研發成果

論文

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【年度】102 年研發成果
【項目】 論文
【領域】 關鍵技術科專
【類別】 生醫材化
計畫名稱 奈米材料及製程技術發展第二期計畫
論文名稱 單層石墨烯製程參數之研究
論文類型 研討會
發表處 2013材料年會
發表人 郭志偉、王崇安、虞邦英、葛春明、王百祿、林慶章
發表日期 102/10/18
國家 國內
內容摘要 本研究以化學氣相沉積儀(CVD)製作石墨烯，不同於一般的低壓條件，而是在常壓下進行反應，並針對甲烷/氫氣比值的不同，探討石墨烯生長的品質。藉由拉曼光譜儀，觀察石墨烯在銅箔表面生長厚度以及I2D/IG比值，以及利用光學顯微鏡觀察在不同控制參數下，銅箔表面石墨烯沉積之表面形貌變化。研究結果發現甲烷/氫氣為0.5 sccm/10 sccm時(5%)生成溫度在1030℃下，可以得到高品質I2D/IG為1.5之單層石墨烯。並由光學顯微鏡觀察生長時間在45分鐘時可在銅箔表面完全覆蓋均勻石墨烯。而隨者甲烷/氫氣比值的上