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::: 研發成果

專利權

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【年度】103 年研發成果
【項目】 專利權
【領域】 關鍵技術科專
【類別】 電資通光
計畫名稱 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
專利名稱 具有應力吸收緩衝層之半導體結構及其製造方法
發明人 張國仁、林家慶
國家 中華民國
性質 發明
技術摘要 具有應力吸收緩衝層之半導體結構及其製造方法。
聯絡人姓名 張國仁