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::: 研發成果

研究報告

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【年度】103 年研發成果
【項目】 研究報告
【領域】 關鍵技術科專
【類別】 電資通光
計畫名稱 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫
報告名稱 氮化鋁基板多層介面之物化性質研究
撰寫人 陳昇暉、賴昆佑
性質 研究
內容摘要 本計畫為配合智慧綠能電子/車電關鍵技術開發，進行LED 散熱製程技術之氮化鋁(AlN)基板多層介面之物化性質研究。高功率發光二極體(LED)的熱效應對LED 的發光效率、壽命及色溫的影響很大，而高功率LED 所用的高品質單晶AlN 散熱基板價格非常昂貴，因此本計畫將採用價格較為便宜的多晶氮化鋁(poly-AlN)基板進行研究。使用MOCVD 直接將氮化鎵(GaN)材料磊晶於poly-AlN 散熱基板上，但因poly-AlN 基板的結晶方向雜亂且表面缺陷多，不利於高品質的GaN 成長，因此本計劃於III-V 族/poly-AlN 界面，先利用濺鍍(sputtering)技術在poly-AlN 散熱基板上，鍍製緩衝層薄膜(buffer layer)。且考慮緩衝層薄膜與poly-AlN 基板的附著性、熱膨脹係數及成長擇優取向等特性，所以在緩衝層薄膜材料部分，採用Al 金屬靶材，通入Ar/N2 氣體，以sputtering 鍍製AlN 薄膜於poly-AlN 基板上，藉由調控Ar/N2比例、基板溫度、濺鍍功率、薄膜厚度與後退火等參數，在poly-AlN 基板上得到類單晶的AlN 薄膜樣品，最後再將樣品送入MOCVD 進行GaN/AlN 磊晶。