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論文
【年度】104
年研發成果
【項目】
論文
【領域】
關鍵技術科專
【類別】
機電運輸
| 計畫名稱 | 大面積RTP硒/硫化製程技術暨設備自主開發計畫 | | 論文名稱 | 磁控濺鍍高性能IZTO透明導電薄膜之特性研究 | | 論文類型 | 期刊 | | 發表處 | International Thin Film Conference(TACT2015) | | 發表人 | 李可鼎,黃至鵬,梁仕昌,魏肇男,倪國裕,薄慧雲 | | 發表日期 | 2015/05/20 | | 國家 | 國內 | | 內容摘要 | 本研究利用雙靶磁控濺鍍於基板溫度為攝氏230℃度C的高溫無鹼玻璃基板上共濺鍍氧化銦鋅錫（Zn-In-Sn-O,IZTO）系列的透明導電薄膜（IZTO）並觀察該薄膜結構和光電特性。ITO和ZnO靶分別利用DC和RF方式濺鍍，固定ITO濺鍍功率，藉由改變ZnO濺鍍功率來沉積不同Zn原子含量(Zn/Zn+In+Sn)的IZTO薄膜。當鋅原子含量達到14~17%左右，其薄膜由氧化銦結構轉變為amorphous非晶(amorphous)結構。精經光電特性分析IZTO透明導電薄膜在可見光範圍內平均穿透度皆超過85％。當Zn原子比例為21.9%時得到最低電阻率為2.59×10-4歐姆公分Ω-cm。 |
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