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::: 研發成果

研究報告

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【年度】104 年研發成果
【項目】 研究報告
【領域】 關鍵技術科專
【類別】 電資通光
計畫名稱 軍民通用之高功率模組產業及應用生根計畫
報告名稱 Ohmic contact製程研究報告
撰寫人 李紹頤
性質 技術
內容摘要 高電子遷移率元件(High Electron Mobility Transistor, HEMT)可應用在高頻與高功率領域。氮化鎵(GaN-based)元件相較於砷化鎵(GaAs-based)元件有較高的操作電壓與溫度，因此低阻抗的歐姆接觸(ohmic contact)對於AlGaN/GaN HEMT結構顯得格外重要。歐姆接觸製程對於AlGaN/GaN HEMT元件仍然是一項挑戰，許多文獻指出Ti/Al/Ni/Au與Ti/Al/Mo/Au較適合用來當作歐姆接觸電極金屬，搭配適當的熱處理參數可得到特徵接觸電阻約為10-7~10-6ohm-cm2。由於以Ti為基底的金屬化結構，形成金屬間的合金且具有低功函數，可以減小GaN和Al-GaN表面的接觸電阻。 本次研究使用Ti/Al/Ni/Au當作接觸電極，探討不同熱處理溫度對於AlGaN/GaN HEMT元件的特徵接觸電阻影響，從中找出最穩定的製程參數。