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::: 研發成果

論文

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【年度】101 年研發成果
【項目】 論文
【領域】 軍品釋商科專
【類別】 電資通光
計畫名稱 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫
論文名稱 在碳化矽基板上成長氮化鎵磊晶之研究
論文類型 研討會
發表處 中科院軍品釋商成果展
發表人 林家慶、張國仁
發表日期 101/12/05
國家 國內
內容摘要 利用有機金屬化學氣相沉積系統在藍寶石基板與碳化矽基板上生長氮化鎵與功率元件結構，並以高解析X光繞射儀、光激螢光譜與霍爾效應量測其材料特性。結果發現以氮化鋁作為緩衝層在碳化矽基板上可生長出品質較佳之氮化鎵磊晶薄膜，其(102)面HRXRD量測半高寬值為353 srcsec，室溫PL發光波長位置為362 nm，其半高寬值為4 nm；另外，以碳化矽基板生長氮化鎵功率元件結構，可獲得高達1510 cm2/v-s之電子遷移率與高達1.33×1013 cm-2之電子濃度，顯示出利用碳化矽基板來製作高功率元件的潛力。