| 內容摘要 | 閃爍體碘化銫(鉈)Cs1-xTlxI為近年來數位化X光影像板最主要的X光-可見光轉換材料。其主要功能是將X光轉換為可見光。藉由電荷耦合元件（Charge Coupled Device, CCD），薄膜電晶體（Thin Film Transisitor, TFT）或互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)製作出可見光偵檢器，將讀取到的可見光轉換為數位訊號。而想要做出一個良好的數位化X光影像板，就必須提高閃爍體的發光效率。我們分別在ITO玻璃, Si(001), MgF2 基板上製作了不同Tl濃度的Cs1-xTlxI及共摻雜Rb或Cu閃爍體薄膜，藉由光激螢光及X光繞射(X-ray diffraction, XRD)圖譜，得到較佳的摻雜元素、濃度、成長條件及相匹配基板。其中以MgF2為基板的Cs1-xTlxI薄膜具有較佳螢光強度及晶向性，而Rb共摻雜之Cs1-xTlxI薄膜螢光強度最好，其強度順序為 Cs1-xTlxI:Rb > Cs1-xTlxI:Cu > Cs1-xTlxI。 |