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::: 研發成果

論文

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【年度】100 年研發成果
【項目】 論文
【領域】 關鍵技術科專
【類別】 機電運輸
計畫名稱 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫
論文名稱 CIGS太陽電池RTP硒化製程技術
論文類型 研討會
發表處 桃園縣綠能科技產業創新研發論壇
發表人 胡松城、盧永添、鄭襄君、林威廷
發表日期 100/11/23
國家 國內
內容摘要 研究先濺鍍前驅物後RTP硒化之兩段法，製備CIGS光吸收層之製程方法，主要於室溫共濺鍍銅、銦、鎵(CIG)薄膜，控制元素組成比例Cu/(In+Ga)為0.8，再蒸鍍硒(excess 40~50%)於薄膜上，置入RTP?內進?快速退火製程。固定第一階段RTP硒化時間為180sec，探討改變溫度為250℃(sample A)與350℃(sample B)，再進行第二階段550℃(500sec)硒化，對CIGS特性之影響。前驅物之狀態及RTP參數，對CIGS之結晶相、表面形貌、組成與電性影響甚巨。RTP設備可於10分鐘內，快速退火獲得晶粒大，及黃銅礦結構特性之CIGS薄膜，並未觀察到CIGS相分離現象；EDS分析:Cu/(In+Ga)= 0.96~1，Ga/(In+Ga)=0.29~0.32；XRD圖譜顯示CIGS具 (112)擇優方向，結晶性佳及無雜相產生，但霍爾效應量測顯示Se比例需微調。