*

::: 研發成果

論文

* *
【年度】100 年研發成果
【項目】 論文
【領域】 關鍵技術科專
【類別】 機電運輸
計畫名稱 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫
論文名稱 Selenization of CIGS Films with Different Cu-In-Ga Alloy Precursors
論文類型 研討會
發表處 12th IUMRS-ICA
發表人 林威廷、陳昇暉、胡松城、林以中、盧永添、鄭襄君
發表日期 100/10/20
國家 國外
內容摘要 本研究利用直流磁控濺鍍系統來沉積銅-銦-鎵(Cu-In-Ga)前驅物(precursor)薄膜於玻璃基板上，然後蒸鍍硒(Se)元素於前驅物試片上，接著使用快速熱退火製程系統(Rapid Thermal Process, RTP)，將CIG前趨物硒化成為硒化銅銦鎵 (CIGS)薄膜。因為RTP硒化製程的時間很短，因此控制硒元素在薄膜中的擴散反應速度在硒化製程時更顯重要，藉由改變CIG前趨物的濺鍍壓力，探討不同的CIG前趨物之結構堆積密度、化學組成比例與表面形貌在硒化反應時對於CIGS薄膜的影響。研究結果顯示在CIG薄膜濺鍍壓力為4.2 mTorr時，經硒化製程後有較佳的化學組成比例與較大的結晶形成。