| 內容摘要 | 本論文使用電子迴旋共振化學氣相沉積系統(Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition, ECRCVD)製備奈米晶矽薄膜,主要調變參數為電漿功率(600~1200 W)及氫稀釋比例(RH = H2 / SiH4 + H2 = 91%~ 95%)。藉由UV-VIS-NIR光譜儀(UV-VIS-NIR spectroscopy)、拉曼光譜儀(Raman spectroscopy)、X光繞射儀(X-Ray Diffraction, XRD)、場發射電子顯微鏡(Field Emission Scanning Electron Microscopy, FE-SEM)、分別進行光學、電性、結晶性、及結構分析。在本研究結果顯示,ECRCVD系統在特定的氫稀釋比例區間內可得到具奈米尺寸晶粒之矽薄膜,而薄膜呈現明顯結晶特性約為氫稀釋比為93%時。 |