簡介：
開發之世界級氮化鋁基板，利用AlN interposer之電絕緣性方可避免產生之高頻電磁干擾之要求及高熱傳性能，開發全新『氮化鋁半導體3D中介層技術』之中介層基板以滿足高頻絕緣電子產品之輕薄短小、低成本、智慧多功能、減碳低功耗等多重需求。
技術特性：
AlN晶圓薄型化&平坦化技術
晶圓研磨技術
TCV成形技術
應用範圍：
本所發展之大尺寸氮化鋁中介層封裝技術，可應用於光電半導體產業技術精進與促進新產品開發，為我國智慧電子、可攜式3C、資訊儲存產業創造下一波產業之競爭優勢。
產業價值：
可運用在未來高頻通訊元件(20GHz等級)，預估計衍生投資達新台幣1億元以上。
可應用於3DIC後端封裝製程中的TSV鍍膜製程，預估計促進產業鏈整體產業效益值高達223億元。
