簡介：
本檢測能量為本院開發大尺寸長晶關鍵技術，同時建置寬能隙晶圓檢測能量，以協助國內業者掌握晶圓品質提升良率。
技術特性：
光學次表面缺陷檢測分析儀係採用長波及短波雷射進行表面及次表面缺陷分析，並予以圖像化以利研究單位及業者掌握缺陷形貌及數據分析，未來亦可結合本院自製晶圓驗證。
應用範圍：
主要應用於碳化矽晶圓及磊晶層全片缺陷圖像檢測，已協助晶元光電、新唐科技、穩懋、中美矽晶、交大、長庚等業學界進行磊晶晶圓檢測。
產業價值：
除可協助半導體元件下游磊晶及元件廠進行進料檢驗，並有效檢驗出晶圓缺陷及磊晶元件相對應之失效現象，回饋製程及產線端，有助於晶圓、磊晶品質及產品良率的提升。
