簡介：
高溫高壓製程方式結合擺盪式線切割法，成功開發出高緻密高導熱之8吋晶圓級氮化鋁基板，無燒結變形問題，且其熱傳導係數已可達170 W/mK以上，與日本大廠(MARUWA)技術水準並駕齊驅。
技術特性：
大尺寸8吋氮化鋁晶圓級基板關鍵技術開發部分，藉由掌握最佳化8吋基板之切割參數、研磨參數與拋光參數，已達到功率元件基板需求之最佳厚度與Ra值等規格，此外藉由加工參數之調控，建立數種規格之基板加工製程，以配合各廠商對於基板之需求，達到氮化鋁基板之多元應用開發。
應用範圍：
高頻元件、高功率LED應用、
通訊晶片、車用IGBT元件
產業價值：
8吋氮化鋁ingot製程技術，可提供國內傳統陶瓷元件廠商使用，促使產業轉型，往高值化產品與高附加價值產業應用發展。
取代日本進口基板，減少我國對日本氮化鋁基板的進口依賴，使國內產業能掌控關鍵技術及自主化生產能力，提供國內高頻/高功率電子元件技術開發所需。
