"概 述 在全球發展化合物半導體磊晶技術之際，為降低成本以及持續發揮我國矽基半導體產業優勢，本計畫特以「矽基化合物半導體磊晶技術」方式，克服化合物半導體與矽半導體之晶格常數差異，將高磊晶品質之化合物半導體直接磊晶，以便使得化合物半導體能併同矽基半導體之物理特性優勢發展，以協助產業之技術升級與發展。 技術應用 目前在矽基板上所開發之化合物半導體磊晶材料，包括有鍺、氮化鎵，可應用於矽鍺高效率電子元件、氮化鎵/氮化銦鎵藍光LED發光元件等，未來將拓展到高速電子元件等。 產業價值 矽半導體具有散熱快、成本低、大面積等優勢，未來勢必將會應用到各領域，包括LED產業、LCD之LED背光模組、功率電子元件、率能產業、高頻電子元件等。目前全球藍寶石基板以及特殊半導體基板，如SiC、InP、Ge等，其單價接比矽基板高十倍至數十倍，因此在拓展產業將會面臨挑戰，未來預估投資金額約新台幣數十億元。
"