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年度計畫摘要
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| 計畫名稱 | 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 | | 執行單位 | 化學研究所 | | 104年經費 | 18,687千元 | | 104年人力 | 11.25人年 | | 計畫重點摘要說明 | 本計畫的目的在於投入工業基礎技術，全力推動我國工業基礎技術的深耕發展，分別針對高效率分離純化與混合分散與高效率顯示與照明兩大項工業基礎技術投入研發，計畫項目包括：高效率分離純化與混合分散基礎技術(分項)金屬氮化物純化技術；高效率顯示與照明技術基礎技術(分項)無機粉體原子激發光學能量轉換材料設計與合成技術。本年度計畫重點摘要說明如下：
一、金屬氮化物純化技術：建立滲碳技術與氮化物原子置換後產生物去除技術，由低溫(600~800℃)氧原子去除環境碳原子之開發，取得較潔淨之氮化物顆粒，並控制氮化物顆粒無結晶相生長(環境碳含量<20%)。
二、無機粉體原子激發光學能量轉換材料設計與合成技術：開發氮化物光學轉換材料配方粉體之合金氮化燒結製程技術以物理/化學冶金與氮化燒結製程技術，合成多元共價氮化物光學轉換材料。(粉體中心粒徑≦20um，粒徑分布離散度<1.8，氧化物成份<3%，演色性>90，資料庫完成率75%(合金氮化))。 | 104年預期成果
及未來研發成果
之長期效益 | 一、104年預期成果
(一)預計申請專利2件，論文(期刊、研討會)2篇及研究技術報告2篇，技術移轉2件，業界科專計畫推動1件。
(二)建立氮化鋁粉體提純技術開發，藉由一系列之高熱還原儲碳、酸洗法除金屬氧化物及溶解法、昇華法除其他雜質物，有效提升氮化鋁晶格純度，降低晶格缺陷密度，並減少其他金屬雜質含量及表面雜質附著物等，目標純度(103年)氮化鋁粉體純度>95%，碳含量＜200ppm，金屬雜質含量＜350ppm。
(三)開發應用於pc-LED白光照明晶片用的紅光氮化物螢光粉，以「製程技術開發」為精進重點，本年度將建立高壓合金氮化燒結製程技術(P>5atm、T>1600℃、物理/化學冶金與氮化燒結製程技術)，達成應用載具演色性(CRI)>90%之指標。
二、未來研發成果之長期效益
本計畫預期可開創新興產業、協助產業轉型、全面提升產業競爭力並帶動高值化轉型與跨領域聯結，對產業之重大影響及具體效益說明如下：
(一)建立國內金屬氮化物純化基礎技術，開發高晶格純度之導熱絕緣無機材料，提升我國高純度金屬氮化物基板元件產業之發展，預期量產後金屬氮化物粉體可增值達3000~4000元/Kg，其附加價值可達60%以上，預期影響未來國內約新台幣700億元之LED照明、高功率電子元件、IC半導體等市場。
(二)建立高純度氮化物所需之無氧化製程技術，導入固態反應、碳熱還原與合金氮化等合成技術，掌握產業缺口之關鍵材料製程技術，扶植產業自主深耕化發展，並大幅提升無機粉體原料附加價值，如高純度單元氮化物粉體相較於單元氧化物粉體約可增值達3~5倍，更提升材料性能達10倍以上(如AlN的導熱係數)，多元氮化物螢光粉相較於多元氧化物螢光粉甚至可增值達1000倍以上，用量不多卻可大幅提升LED的演色性，整體而言，預期影響未來國內約新台幣700億元之高功率電子元件、LED照明、半導體封裝等市場。 |
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