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年度計畫摘要
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計畫名稱 | 醫用數位X光機系統開發計畫 | 執行單位 | 材料暨光電研究所 | 101年經費 | 39,949千元 | 101年人力 | 22人年 | 計畫重點摘要說明 | "101年計畫內容
一、本計畫以研發數位X-光感測器為計畫執行重點,並依目前國際發展之趨勢,開發直接讀取式數位X光感測器(DR)及掃瞄式數位X光感測器(CR)。
(一)醫用數位X光機系統目前以CR為主,CR系統感測器則以磷光片為主,此磷光感測器採用鋇的鹵化物(BaFBrxI1-x)為基材摻雜少量的Eu+2,合成可以激發磷光的化合物(BaFBrxI1-x:Eu+2),由於此磷光材料易潮解吸水及氧。故本計畫CR數位X光感測器主要目標為○1開發具有最佳磷光效果摻雜少量Eu+2之鋇鹵化物(BaFBrxI1-x:Eu+2)○2具有防水和防氧化之封裝塗佈技術亦是研發重點,計畫執行最終將以封裝完成的PSP做發光效率測試。另ㄧCR重點為點狀掃瞄讀取機,此時將儲存在磷光片上的X光訊號,用波長為660±50nm雷射光源予以掃瞄磷光片,此時磷光片會激發出390 nm的Eu+2→ Eu+3的光子,此光子經由光收集器收集到光電倍增管予以放大,再經由電路成像,但此系列的光學掃瞄機構也會在此計畫中整合成為磷光片讀取機。
(二)醫用數位X光機系統正在發展為DR部分,本計畫在DR部分是以CsI(Tl)閃爍體直接把X光變成可見光,再由陣列式270個CMOS照相機陳列將光源收集在照相中,即時瞬間完成,每一CMOS為512X512像素,每一PC板上有3X3(9)個照相機,共有5X6(30)個PC板,閃爍體CsI(Tl)直接長在鋁板或碳板上(6μm),閃爍體將X光直接轉換為550nm可見光,CMOS直接讀取之。 | 101年預期成果 及未來研發成果 之長期效益 | 一、101年預期成果
(一)預計申請4件專利,3件專利獲證、10篇論文(期刊、研討會)及12篇研究報告,技術移轉2件。
(二)完成DR系統CsI(Tl)閃爍體製作及CMOS為主光學陣列模組設計,並
搭配影像縫合技術進行整合。
(三)完成CR系統磷光材料燒結/塗佈/封裝製作成磷光片並與點狀掃瞄讀取機機構整合連測與成像。
二、未來研發成果之長期效益
(一)建立數位X光CR和DR技術,創立醫療產業,整合台灣半導體、資訊、光電和電子等優勢產業,投入醫療科技產業,使台灣醫療產業有機會成為一新的「兆元」產業。
(二)為使X光檢查影像數位化,擴大CMOS IC的可行性低,採用間接數位化的PSP技術,利用BaFBr:Eu+2材料大面積塗佈,及波長660±50 nm的雷射光激發儲存信號,再用光電倍增管信號接收處理數位化,是目前最值得投入的技術,此技術也可用在熱中子和γ-ray當偵測器用。
(三)不論CR或DR二項技術應用均可擴大到工業用,如非破壞性檢驗、貨櫃通關檢驗和多層PC板檢測等
(四)CsI(Tl)閃爍體鍍膜更可應用在X光、γ光等高能輻射偵檢上之用,如r-counter、PET(正子攝影)及工業檢測、貨櫃車檢測等工業用途。
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