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::: 技術處科專

可移轉技術

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民國111年
民國112年
民國113年
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【年度】103 年研發成果
【科專】 關鍵技術科專
【領域】 電資通光
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年度

103
計畫名稱 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫
執行單位 材料暨光電研究所
技術名稱碳化矽單晶生長技術
技術現況敘述使用PVT昇華法成長4吋4H碳化矽單晶晶體，以射頻加熱方式精密控制熱場溫度梯度以及熱場環境，以達到最適長晶溫度及氣氛。除此之外，亦可獲得晶體品質之初步研判經驗，在開發初期尤其是新進者，將可縮短相當多時間在晶體品質的判讀上，亦能對晶體有初步掌握。、
技術規格MPD<80cm-2Rocking curve FWHM<65 arcsec粗糙度≦1nm。
技術成熟度實驗室階段
技術可應用範圍碳化矽晶體開發
潛力預估碳化矽晶體檢測技術，預估未來市場具10億年產值。
所需軟硬體設備長晶爐
需具備之專業人才材料、光電
聯絡人員李大青
電子信箱csist_mrdc@csnet.gov.tw
電話03-4712201#359521
傳真03-4711024
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