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::: 技術處科專

可移轉技術

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民國111年
民國112年
民國113年
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【年度】104 年研發成果
【科專】 關鍵技術科專
【領域】 電資通光
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年度

104
計畫名稱 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
執行單位 化學研究所
技術名稱氮化鋁基板厚銅覆銅之製備方法
技術現況敘述本發明係提供一種氮化鋁基板厚銅覆銅之製備方法，該方法係以一氮化鋁基板表面濺鍍一層鈦或鎢金屬，再於鈦或鎢金屬層上電鍍銅層，並以一無氧銅厚板覆蓋於電鍍銅層之上，該電鍍銅層能因銅互相擴散而將兩片基板接合在一起，於氣氛高溫爐中進行燒結製程溫度設定900~1050℃，並使爐體內充滿氮氣隔絕空氣，利用鈦、鎢等金屬可使銅線路電路與氮化鋁基板有較好之相容性，並以氮化鋁基板作為散熱基板係可提升LED電路板之散熱效率。、
技術規格氮化鋁基板上鍍膜上Ti/W層後，並電鍍銅膜完成氮化鋁厚銅基板。利用高溫燒結爐燒結厚銅基板與氮化鋁基板，完成氮化鋁基板厚銅覆銅基板。
技術成熟度實驗室階段
技術可應用範圍高密度封裝元件。
潛力預估因LTCC與HTCC製程無法解決線路精準度且各層線路會有收縮比例的問題，電擊材料的種類也被加以限制。此技術為平面式散熱基板，可在基板上直接鍍膜線路病因產品需求做成小尺寸高功率產品應用在高功率LED、高密度封裝元件。
所需軟硬體設備電鍍機、光阻貼模機、顯影機及曝光機等。
需具備之專業人才材料、化學化工相關背景
聯絡人員郭養國
電子信箱ykkuo2002@yahoo.com.tw
電話03-4712201#358172
傳真03-4116381
參考網址http://www.csistdup.org.tw/