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年度	104
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
執行單位	化學研究所
技術名稱	靜電吸附盤及其半導體設備
技術現況敘述	本發明的靜電吸盤，其特徵在於包含具有陶瓷層的材料包括，藉由在氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al2O3)等的陶瓷介電質基板之間夾入電極，進行燒成而製作的陶瓷製的靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，透過靜電力吸附矽晶圓等的基板。本文探討不同情況對被吸附物靜電力的影響情況，如下：（1）被吸附物材料（2）靜電吸盤陶瓷材料（3）矽晶圓厚度（4）陶瓷表面粗糙度，及靜電吸放時間的影響範疇。、
技術規格	本發明為藉由在氮化鋁(AlN)或其它陶瓷介電質基板之間夾入電極，進行燒成而製作的陶瓷製的靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，施加電壓為3000V與-3000V之轉換，電極表面設計一氣孔間隙(Air Gap)通道，被吸附晶圓材為之矽晶圓，獲得氮化鋁(AlN)陶瓷介電質基板之淨靜電吸附壓力，用以吸附矽晶圓。
技術成熟度	試量產
技術可應用範圍	半導體產業。
潛力預估	市場預估30億台幣。
所需軟硬體設備	半導體相關軟硬體設備。
需具備之專業人才	具備半導體設備操作之專業人才。
聯絡人員	郭養國
電子信箱	ykkuo2002@yahoo.com.tw
電話	03-4712201#358172
傳真	03-4116381
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/